在影響屏蔽材料的多種要素所講介紹中，讓大伙兒了解了一些鮮為人知的情況或?qū)I(yè)知識(shí)，深層次了解下邊的結(jié)論對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是非常關(guān)鍵的。

1）材料的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性越好，屏蔽效能越高，但實(shí)際上的金屬材料無(wú)法兼顧這兩個(gè)層面，比如銅的導(dǎo)電性很好，可是導(dǎo)磁性很差；鐵的導(dǎo)磁性很好，可是導(dǎo)電性較差。應(yīng)當(dāng)選用哪些材料，按照實(shí)際屏蔽關(guān)鍵依賴反射損耗、或是吸收損耗來(lái)確定是偏重于導(dǎo)電性或是導(dǎo)磁性。

2）頻率較低的時(shí)候，吸收損耗不大，反射損耗是屏蔽效能的關(guān)鍵原理，要盡可能提升反射損耗。

3）反射損耗與輻射源的特點(diǎn)相關(guān)，對(duì)電場(chǎng)輻射源，反射損耗非常大；對(duì)磁場(chǎng)輻射源，反射損耗不大。所以，對(duì)磁場(chǎng)輻射源的屏蔽關(guān)鍵依靠材料的吸收損耗，應(yīng)當(dāng)選用磁導(dǎo)率較高的材料做屏蔽材料。

4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離相關(guān)，對(duì)電場(chǎng)輻射源，距離越近的，則反射損耗越大；對(duì)磁場(chǎng)輻射源，距離越近的，則反射損耗越?。缓侠砼袛噍椛湓吹男再|(zhì)，確定它應(yīng)當(dāng)靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵信息。

5）頻率較高時(shí)，吸收損耗是關(guān)鍵的屏蔽原理，這時(shí)候與輻射源是電場(chǎng)輻射源或是磁場(chǎng)輻射源沒(méi)有太大的關(guān)系。

6）電場(chǎng)波是最易于屏蔽的，平面波其次，磁場(chǎng)波是較難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場(chǎng)，難以屏蔽。對(duì)低頻磁場(chǎng)，要選用高導(dǎo)磁性材料屏蔽，影響屏蔽材料的各種因素乃至選用高導(dǎo)電性材料和高導(dǎo)磁性材料復(fù)合起來(lái)的材料。

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